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XC17S30PD8I、XC17S30PDG8I、XC17S30PD8C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 XC17S30PD8I XC17S30PDG8I XC17S30PD8C

描述 PROM Serial 242.2Kbit 5V 8Pin PDIPMemory Circuit, 247968X1, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8PROM Serial 242.2Kbit 5V 8Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 8 - 8

封装 DIP-8 DIP DIP-8

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.25 V (max)

内存容量 300000 B - 300000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.75V ~ 5.25V

封装 DIP-8 DIP DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99