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BD138-10、BD911对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD138-10 BD911

描述 PNP Epitaxial Silicon TransistorSTMICROELECTRONICS  BD911  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 50 hFE

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-220-3

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 15.0 A

针脚数 - 3

极性 - NPN

耗散功率 - 90 W

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 150

额定功率(Max) - 90 W

直流电流增益(hFE) - 50

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 90 W

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

封装 - TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99