BD138-10、BD911对比区别
描述 PNP Epitaxial Silicon TransistorSTMICROELECTRONICS BD911 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 50 hFE
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-220-3
频率 - 3 MHz
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 15.0 A
针脚数 - 3
极性 - NPN
耗散功率 - 90 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @5A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - 150
额定功率(Max) - 90 W
直流电流增益(hFE) - 50
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 90 W
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
封装 - TO-220-3
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99