FST31180、V30200C-E3/4W、FST31200对比区别

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型号 FST31180 V30200C-E3/4W FST31200

描述 Dual Schottky Barrier RectifiersTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor30 AMP肖特基整流器 30 Amp Schottky Rectifiers

数据手册 ---

制造商 EIC Vishay Semiconductor (威世) Microsemi (美高森美)

分类 肖特基二极管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220-3 TO-220

正向电压 - 1.1 V -

反向恢复时间 - 18 ns -

正向电流 - 30 A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 250 A -

正向电压(Max) - 1.1 V -

正向电流(Max) - 30 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

工作结温 - -40℃ ~ 150℃ -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 15.32 mm -

封装 - TO-220-3 TO-220

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -