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PDTA115EM,315、PDTA115TU、PDTA115EU,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA115EM,315 PDTA115TU PDTA115EU,115

描述 TRANS PNP W/RES 50V SOT-883低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsNexperia PDTA115EU,115 PNP 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-883 SC-70 SOT-323-3

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V - 80 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) 250 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW - 200 mW

耗散功率 250 mW - -

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 100mA -

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

封装 SOT-883 SC-70 SOT-323-3

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -