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2SB647A-B、BC328-25、MPSA56对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB647A-B BC328-25 MPSA56

描述 TO-92 PNP 100V 1ATransistor: PNP; bipolar; 25V; 800mA; 625mW; TO92Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor

分类

基础参数对比

引脚数 - 3 3

封装 TO-92 TO-92 TO-92

安装方式 Through Hole Through Hole -

耗散功率 - 625 mW 0.625 W

增益频宽积 - 100 MHz 50 MHz

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V - -

集电极最大允许电流 1A - -

封装 TO-92 TO-92 TO-92

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Ammo Pack -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant