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BSS209PWL6327、SI1303DL-T1-GE3、BSS209PWH6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS209PWL6327 SI1303DL-T1-GE3 BSS209PWH6327

描述 SOT-323P-CH 20V 0.58AMOSFET P-CH 20V 670mA SOT323-320V,-0.63A,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

极性 P-CH P-Channel -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) 0.58A -720 mA -

耗散功率 - 290mW (Ta) -

耗散功率(Max) - 290mW (Ta) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -