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IS42S16160D-75EBLI、IS42S16160G-7BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-75EBLI IS42S16160G-7BLI

描述 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3VINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS42S16160G-7BLI  芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 BGA-54

供电电流 - 130 mA

针脚数 - 54

时钟频率 - 143 MHz

位数 16 16

存取时间 7.5 ns 7 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V

封装 BGA-54 BGA-54

长度 13 mm -

宽度 8 mm -

高度 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99