IRF530、IRF530N,127、IRF530NPBF对比区别

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型号 IRF530 IRF530N,127 IRF530NPBF

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 - 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

极性 N-Channel - N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

耗散功率 - 79W (Tc) 63 W

上升时间 - 36 ns 22 ns

输入电容(Ciss) - 633pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds)

下降时间 - 12 ns 25 ns

耗散功率(Max) - 79W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 - - 79 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.09 Ω

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 920 pF

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - - 17A

额定功率(Max) - - 70 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.69 mm

高度 - - 8.77 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)