BUZ344、IRFP150NPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 BUZ344 IRFP150NPBF

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON  IRFP150NPBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-218 TO-247-3

额定功率 - 140 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.036 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 140 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1900 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 42A

上升时间 - 56 ns

输入电容(Ciss) - 1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 160 W

下降时间 - 40 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 160W (Tc)

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

产品系列 - -

栅源击穿电压 - -

长度 - 15.9 mm

宽度 - 5.3 mm

高度 - 20.3 mm

封装 TO-218 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - -