1N5523D、JANTX1N5523D-1、NTE5010T1对比区别

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型号 1N5523D JANTX1N5523D-1 NTE5010T1

描述 DO-35 5.1V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 5.1V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

耗散功率 400 mW 0.5 W 500 mW

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 5 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

HTS代码 - - 85411000506