SPB80N03S2L-06、SPB80P06P G、STP130NS04ZB对比区别

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型号 SPB80N03S2L-06 SPB80P06P G STP130NS04ZB

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorINFINEON  SPB80P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 VN沟道钳位 - 7毫欧 - 80A TO- 220 / I2 / D2PAK / TO- 247完全保护网覆盖TM MOSFET N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220

额定电压(DC) 30.0 V -60.0 V -

额定电流 80.0 A -80.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.021 Ω -

极性 N-CH P-Channel N-CH

耗散功率 150W (Tc) 340 W -

输入电容 - 5.03 nF -

栅电荷 - 173 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 33 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A

上升时间 23.0 ns 18 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 2530pF @25V(Vds) 5033pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 340 W -

下降时间 - 30 ns 100 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 340W (Tc) 300000 mW

长度 - 10.31 mm -

宽度 - 9.45 mm -

高度 - 4.57 mm -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -