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6116LA20SOG8、IDT6116LA20SO、IDT6116LA20SO8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA20SOG8 IDT6116LA20SO IDT6116LA20SO8

描述 IC SRAM 16Kbit 20NS 24SOICCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)IC SRAM 16Kbit 20NS 24SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 - 24

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOP-24

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 15.4 mm - 15.4 mm

宽度 7.60 mm - 7.5 mm

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOP-24

厚度 2.34 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99