锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N829A、JANTXV1N829-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N829A JANTXV1N829-1

描述 Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.0005 Tc6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated

数据手册 --

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 分立器件齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 2

封装 - DO-204AH

容差 - ±5 %

耗散功率 - 0.5 W

测试电流 - 7.5 mA

稳压值 - 6.2 V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - -

长度 - -

封装 - DO-204AH

工作温度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead