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BF861C、BF861A,215、BF861C,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF861C BF861A,215 BF861C,215

描述 N-channel junction FETsN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 - 6.5 mA 25 mA

耗散功率 - 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW -

额定电压 - 25 V 25 V

击穿电压 - - -25.0 V

针脚数 - - 3

漏源极电压(Vds) - - 25 V

漏源击穿电压 - - 25 V

栅源击穿电压 - - 25 V

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃