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GBU10D、GBU10D-BP、GBU10DP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBU10D GBU10D-BP GBU10DP

描述 10A Glass Passivated Bridge RectifierGBU 200V 10ADIODE 10 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

数据手册 ---

制造商 Taitron Micro Commercial Components (美微科) Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 4 -

封装 - SIP-4 -

正向电压 - 1.1V @5A -

最大反向电压(Vrrm) - 200V -

正向电流 - 10 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 200 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - SIP-4 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -