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M54532P、ULN2064B、TD62064P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M54532P ULN2064B TD62064P

描述 带钳位二极管4单元1.5A达林顿晶体管阵列 4-UNIT 1.5A DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODESTMICROELECTRONICS  ULN2064B  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 1 W, 1.5 A, DIPPDIP NPN 35V 1.5A

数据手册 ---

制造商 Mitsubishi (三菱) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - DIP-16 PDIP

引脚数 - 16 -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 35 V

集电极最大允许电流 - - 1.5A

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 1.50 A -

输出电压 - 50 V -

输出电流 - 1.75 A -

通道数 - 4 -

针脚数 - 16 -

耗散功率 - 1 W -

输出电压(Max) - 50 V -

输出电流(Max) - 1.5 A -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -20 ℃ -

耗散功率(Max) - 4300 mW -

输入电压 - 15 V -

封装 - DIP-16 PDIP

长度 - 20 mm -

宽度 - 7.1 mm -

高度 - 5.1 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -20℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -