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GBJ808、GBJ808-F、KBU8K对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBJ808 GBJ808-F KBU8K

描述 8A Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 VoltsRECT BRIDGE GPP 800V 8A GBJBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Diodes (美台) Diotec Semiconductor

分类 桥式整流器二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - SIP-4 -

正向电压 - 1V @4A 1 V

最大反向电压(Vrrm) - 800V -

正向电流 - 8 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 170 A 300 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 8 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

长度 - 30.3 mm -

宽度 - 4.8 mm -

高度 - 24.5 mm -

封装 - SIP-4 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Box

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99