FQA8N90C、FQA8N90C_F109、FQA8N90C-F109对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQA8N90C FQA8N90C_F109 FQA8N90C-F109

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN沟道MOSFET QFET® 900 V， 8 A， 1.9 I© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 SC-65

引脚数 - 3 -

封装 TO-3-3 TO-3-3 SC-65

高度 20.1 mm 21.3 mm -

长度 16.2 mm - -

宽度 5 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

通道数 - 1 -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 240 W 240 W -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8A -

上升时间 110 ns 110 ns -

输入电容(Ciss) 2080pF @25V(Vds) 2080pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 240 W 240 W -

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 240W (Tc) 240W (Tc) -

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 8.00 A - -

漏源极电阻 1.90 Ω - -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -