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BZT52B18、BZT52B18-TP、BZT52B18-HE3-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52B18 BZT52B18-TP BZT52B18-HE3-08

描述 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener DiodesSOD-123 18V 410mWZener Diode, 18V V(Z), 2.22%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科) Vishay Intertechnology

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 - SOD-123 -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 0.9 V -

耗散功率 - 410 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 18 V -

额定功率(Max) - 410 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - SOD-123 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -