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BSM15GD120DN2、MG15Q6ES50A、BSM15GD120D2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM15GD120DN2 MG15Q6ES50A BSM15GD120D2

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 25A 17Pin ECONOPACK 2N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)IGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - -

引脚数 17 - -

封装 ECONO-2 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 145000 mW - -

宽度 45 mm - -

封装 ECONO-2 - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -