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JANTXV1N5619US、RGL1J、JAN1N5619对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N5619US RGL1J JAN1N5619

描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; Package: reel, tape军事整流器 MILITARY RECTIFIERS

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Diotec Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - Mini-MELF A-Package-2

负载电流 - 1 A -

正向电压 - 1.3 V 1.6V @3A

反向恢复时间 - 250 ns 250 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -65 ℃

封装 - Mini-MELF A-Package-2

长度 - - 5.21 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

军工级 - - Yes

ECCN代码 - EAR99 -