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TSV632ID、TSV632IDT、ISL28214FBZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSV632ID TSV632IDT ISL28214FBZ

描述 TSV632 系列 5.5 V 880 kHz 轨对轨 CMOS 运算放大器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  TSV632IDT  运算放大器, 双路, 880 kHz, 2个放大器, 0.34 V/µs, 1.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚OP Amp Dual GP R-R I/O 5.5V 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

引脚数 - 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

共模抑制比(Min) - 60 dB 72 dB

供电电流 60 µA 60 µA -

电路数 2 2 -

通道数 2 2 -

增益频宽积 880 kHz 880 kHz -

输入补偿电压 3 mV 3 mV -

输入偏置电流 1 pA 1 pA -

增益带宽 880 kHz 880 kHz -

电源电压(DC) - 5.50V (max) -

输出电流 - 74 mA -

针脚数 - 8 -

共模抑制比 - 60 dB -

带宽 - 880 kHz -

转换速率 - 340 mV/μs -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 1.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 1.5 V -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -