IS42S32200E-6TL、MT48LC2M32B2TG-7 IT:G、IS42S32200L-6TL对比区别
型号 IS42S32200E-6TL MT48LC2M32B2TG-7 IT:G IS42S32200L-6TL
描述 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II Tray动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
引脚数 86 86 86
封装 TSOP-86 TSOP TSOP-86
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
供电电流 160 mA 160 mA 100 mA
位数 - 32 32
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3.3 V 3V ~ 3.6V
频率 166 MHz - -
存取时间 5.5 ns - 5.4 ns
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 3 V - 3 V
存取时间(Max) - - 8ns, 5.4ns
高度 1.05 mm 1 mm -
封装 TSOP-86 TSOP TSOP-86
长度 22.42 mm - -
宽度 10.29 mm - -
产品生命周期 Not Recommended for New Design Unknown Active
包装方式 Tube Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free PB free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)