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71V416S15BEGI、71V416S15BEI、71V416S15BEGI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S15BEGI 71V416S15BEI 71V416S15BEGI8

描述 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9MM, BGA-48静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 48

封装 CABGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 15 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

长度 9 mm 9.00 mm 9 mm

宽度 9 mm 9.00 mm 9 mm

高度 1.2 mm - 1.2 mm

封装 CABGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

厚度 1.20 mm 1.20 mm 1.20 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅