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CY7C1381D-100BZC、CY7C1381D-133AXI、CY7C1381D-100BZXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1381D-100BZC CY7C1381D-133AXI CY7C1381D-100BZXI

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流通型SRAM 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM18兆位( 512K的× 36/1米× 18 )流过SRAM 18 Mbit (512 K × 36/1 M × 18) Flow Through SRAM18兆位( 512K的× 36/1米× 18 )流过SRAM 18 Mbit (512 K × 36/1 M × 18) Flow Through SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 100 165

封装 FBGA-165 LQFP-100 LBGA-165

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 133MHz (max) 100MHz (max)

位数 - 36 36

存取时间 8.5 ns 133 µs 100 µs

内存容量 - 18000000 B 18000000 B

存取时间(Max) - 6.5 ns 8.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

高度 0.89 mm 1.4 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 LQFP-100 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free