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2N3822、JANTX2N3822、JAN2N3822对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3822 JANTX2N3822 JAN2N3822

描述 技术参数 TECHNICAL DATAJAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSJAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices Solitron Devices

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 4 4

封装 TO-72 TO-72 TO-72

耗散功率 300 mW - -

漏源极电压(Vds) 50 V - -

击穿电压 50 V - -

输入电容(Ciss) 6pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 300 mW - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 TO-72 TO-72 TO-72

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99