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2N6251LEADFREE、JANTX2N6251、2N6251对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6251LEADFREE JANTX2N6251 2N6251

描述 TO-3 NPN 350V 10ANPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 275V 10A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-3 TO-3 TO-3

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 - Tray -

耗散功率 - 6000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 6 @10A, 3V -

额定功率(Max) - 5.5 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 6000 mW -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 10A - -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

军工级 - Yes -