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BR24C21F-E2、BR24C21FJ-E2、BR24C21F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24C21F-E2 BR24C21FJ-E2 BR24C21F

描述 EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片存储芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOP-8 SOIC-8 SOP

引脚数 8 8 -

封装 SOP-8 SOIC-8 SOP

长度 - 4.9 mm -

宽度 4.4 mm 3.9 mm -

高度 - 1.38 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 - - NLR

时钟频率 400 kHz, 400 kHz (max) 400 kHz -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

存取时间 400 ms - -

内存容量 1000 B - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -