FQD13N10LTM、IRF520NSTRLPBF对比区别
型号 FQD13N10LTM IRF520NSTRLPBF
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3
额定功率 - 47 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.142 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 3.8 W
阈值电压 2 V 4 V
输入电容 - 330 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 9.7A
上升时间 220 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
下降时间 72 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc)
额定电压(DC) 100 V -
额定电流 10.0 A -
通道数 1 -
漏源击穿电压 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
额定功率(Max) 2.5 W -
长度 6.6 mm 10.67 mm
宽度 6.1 mm 9.65 mm
高度 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -