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BSM75GAL120DN2、CM75E3U-24H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM75GAL120DN2 CM75E3U-24H

描述 IGBT功率模块(单联开关与断路器二极管包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)IGBT模块大功率开关使用绝缘型 IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Mitsubishi (三菱)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw -

引脚数 5 -

封装 34MM-1 -

极性 - -

耗散功率 625 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

耗散功率(Max) 625000 mW -

封装 34MM-1 -

长度 94 mm -

宽度 34 mm -

高度 30.5 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -

香港进出口证 - NLR