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BZT52H-B75、BZT52H-B75,115、BZT52H-B75,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B75 BZT52H-B75,115 BZT52H-B75,135

描述 单齐纳二极管的SOD123F包 Single Zener diodes in a SOD123F packageSOD-123F 75V 830mWZener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 SOD-123F SOD-123F -

耗散功率 375 mW 830 mW -

稳压值 75 V 75 V -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 2 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 375 mW -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 SOD-123F SOD-123F -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 81 mV/K -