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FQD5N60C、SSR4N60B、SSR4N60BTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5N60C SSR4N60B SSR4N60BTF

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 2.8A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 DPAK TO-252 TO-252

漏源极电阻 - - 2.50 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 - - 2.50 W

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.8A - 2.80 A

封装 DPAK TO-252 TO-252

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99