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IRF1324SPBF、STB300NH02L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1324SPBF STB300NH02L

描述 Trans MOSFET N-CH 24V 340A 3Pin(2+Tab) D2PAKN沟道24V - 120A - TO- 220 / D2PAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 1.65 mΩ 0.0014 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 300 W

阈值电压 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 24 V 24 V

连续漏极电流(Ids) 340 A 80.0 A

上升时间 - 275 ns

输入电容(Ciss) 7590pF @24V(Vds) 7055pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W

下降时间 - 94.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

通道数 1 -

产品系列 IRF1324S -

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99