FQB17N08LTM、FQB17N08TM对比区别

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型号 FQB17N08LTM FQB17N08TM

描述 Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 80V 16.5A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 16.5 A 16.5 A

漏源极电阻 - 115 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 3.75 W 3.13W (Ta), 65W (Tc)

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

漏源击穿电压 - 80.0 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.5 A 16.5 A

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc)

上升时间 290 ns -

下降时间 75 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

香港进出口证 - NLR