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PMEG3015EV、PMEG3015EV,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMEG3015EV PMEG3015EV,115

描述 Rectifier DiodePmeg3015ev - 30 v、1.5 a超低Vf Mega肖特基势垒整流二极管,采用Sot666封装

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOT-666

引脚数 - -

正向电压 - 550mV @1.5A

热阻 - 80℃/W (RθJL)

正向电压(Max) - 550mV @1.5A

工作结温 - 150℃ (Max)

正向电流(Max) - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

封装 - SOT-666

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free