CY7C1314KV18-250BZC、CY7C1314KV18-250BZCT、CY7C1314KV18-250BZXC对比区别
型号 CY7C1314KV18-250BZC CY7C1314KV18-250BZCT CY7C1314KV18-250BZXC
描述 18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 512Kx36 QDR II 静态随机存取存储器18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 - - 670 mA
时钟频率 - - 250 MHz
位数 36 36 36
存取时间 0.45 ns - 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V - 1.9 V
电源电压(Min) 1.7 V - 1.7 V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a