IRF7103TRPBF、RF1K49154、IRF7103PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7103TRPBF RF1K49154 IRF7103PBF

描述 INFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V2A ， 60V ， 0.130欧姆，双N沟道， LittleFET⑩功率MOSFET 2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel, LittleFET⑩ Power MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.11 Ω - 0.13 Ω

极性 N-CH - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 3 V - 3 V

输入电容 290 pF - 290pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V - 50 V

漏源击穿电压 50 V - 50 V

连续漏极电流(Ids) 3A - 3.00 A

上升时间 8 ns - 45.0 ns

热阻 50℃/W (RθJA) - 62.5℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) - 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 3.00 A

产品系列 - - IRF7103

工作结温(Max) - - 150 ℃

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 - SOIC-8

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC