BSC196N10NS G、FDMS3672、FDMS3662对比区别
型号 BSC196N10NS G FDMS3672 FDMS3662
描述 INFINEON BSC196N10NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 VUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56-8 Power-56
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 16.7 mΩ 19 mΩ 0.0114 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 78 W 2.5 W 104 W
阈值电压 3 V - 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 8.9A
上升时间 22 ns 11 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2300pF @50V(Vds) 2680pF @50V(Vds) 4620pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 78 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 5 ns 8 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 78 W 2.5W (Ta), 104W (Tc)
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 22.0 A -
通道数 1 1 -
输入电容 - 2.68 nF -
栅电荷 - 44.0 nC -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 5.9 mm 6 mm 6 mm
高度 1.27 mm 0.75 mm 1.05 mm
封装 TDSON-8 Power-56-8 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -