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71256SA25YG8、IDT71256SA25Y、IS61C256AL-12JLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256SA25YG8 IDT71256SA25Y IS61C256AL-12JLI-TR

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 25ns 28Pin SOJ T/RCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 28 - 28

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ-28

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 145 mA - 40 mA

位数 - - 8

存取时间 25 ns - 12 ns

内存容量 - - 256000 B

存取时间(Max) 25 ns - 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 17.9 mm - 18.54 mm

宽度 7.60 mm - 7.75 mm

高度 - - 2.67 mm

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ-28

厚度 2.67 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - 3A991 EAR99