FQU13N10L、SPP10N10L对比区别

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型号 FQU13N10L SPP10N10L

描述 LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-220-3-1

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 10.3 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 50W (Tc)

输入电容 - 444 pF

栅电荷 - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10.3 A

输入电容(Ciss) - 444pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 50W (Tc)

封装 IPAK TO-220-3-1

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free