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SI4804BDY-T1-E3、SI4944DY-T1-E3、SI4944DY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4804BDY-T1-E3 SI4944DY-T1-E3 SI4944DY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 - N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 12.2 A 12.2 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.3 W 1.3 W

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free