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BTS130、BTS131、BTS129对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS130 BTS131 BTS129

描述 TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET ( N沟道逻辑电平增强模式,温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220 -

上升时间 - 60 ns -

输入电容(Ciss) - 1050pF @25V(Vds) -

下降时间 - 75 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 75000 mW -

封装 - TO-220 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -