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CBR08C101J1GAC、CDR31BP101BJSR、VJ0805A101JXBAC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR08C101J1GAC CDR31BP101BJSR VJ0805A101JXBAC

描述 射频电容, C0G / NP0, 100 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 5%, 125 °C, 0805 [2012公制]Cap Ceramic 100pF 100V C0G 5% SMD 0805 (0.01%FR) 125℃ BulkCap Ceramic 100pF 100V C0G 5% SMD 0805 150℃ Paper T/R

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) KEMET Corporation (基美) VISHAY (威世)

分类 电容电容排陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 0805 0805 0805

封装(公制) 2012 - -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

电容 100 pF 100 pF 100 pF

容差 ±5 % ±5 % -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 100 V - -

长度 2 mm 2.00 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.85 mm 1.3 mm 1.45 mm

封装 0805 0805 0805

厚度 - 1.30 mm -

封装(公制) 2012 - -

介质材料 - Ceramic -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free