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2N4236、JANTX2N4236对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4236 JANTX2N4236

描述 NPN功率放大器硅晶体管 NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39 TO-39

耗散功率 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @250mA, 1V -

额定功率(Max) 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

增益频宽积 - -

最大电流放大倍数(hFE) - -

封装 TO-39 TO-39

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free