STB76NF80、STB80NF10T4、PSMN012-80BS,118对比区别

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型号 STB76NF80 STB80NF10T4 PSMN012-80BS,118

描述 STMICROELECTRONICS  STB76NF80  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 80V 74A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 80.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0095 Ω 12 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 300 W 148 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 80 V

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 74A

上升时间 100 ns 80 ns -

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 2782pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 148 W

下降时间 30 ns 60 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 148W (Tc)

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -