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BC33725TA、KSP05、BC33725TF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33725TA KSP05 BC33725TF

描述 ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTRANS NPN 45V 0.8A TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 - TO-226-3

频率 100 MHz - 100 MHz

针脚数 3 - -

耗散功率 625 mW - 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V - 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

直流电流增益(hFE) 400 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-226-3 - TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

ECCN代码 EAR99 - EAR99