FD200R12KE3、GP200MLS12、BSM200GAL120DN2对比区别

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型号 FD200R12KE3 GP200MLS12 BSM200GAL120DN2

描述 62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diodeIGBT Chopper Module Preliminary InformationIGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Dynex Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Screw - -

引脚数 5 - -

封装 62MM-1 - -

额定功率 1040 W - -

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 30.9 mm - -

封装 62MM-1 - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -