NTD60N02R-1G、STD50NH02LT4、NTD4810NT4G对比区别

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型号 NTD60N02R-1G STD50NH02LT4 NTD4810NT4G

描述 60A,24V功率MOSFETN沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET功率MOSFET的30 V ， 54 A单N - 通道， DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V 24.0 V 30.0 V

额定电流 62.0 A 50.0 A 45.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.87 W 60 W 1.4W (Ta), 50W (Tc)

输入电容 1.33 nF - 1.17 nF

栅电荷 14.0 nC - 11.0 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 24 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 62.0 A 50.0 A 54.0 A, 10.8 A

上升时间 33 ns 130 ns 20.7 ns

输入电容(Ciss) 1330pF @20V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1350pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 60 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25W (Ta), 58W (Tc) 60W (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc)

漏源极电阻 8.40 mΩ 10.5 mΩ -

漏源击穿电压 25.0 V 24 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 33 ns 16 ns -

通道数 - 1 -

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 2.38 mm 6.2 mm -

高度 6.35 mm 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99