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CMLDM8120GTR、DMP2104V-7、CMLDM8120对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CMLDM8120GTR DMP2104V-7 CMLDM8120

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6DIODES INC.  DMP2104V-7  晶体管, MOSFET, P沟道, -950 mA, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -1 VSOT-563P-CH 20V 0.86A

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Diodes (美台) Central Semiconductor

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 -

封装 - SOT-563 SOT-563

针脚数 - 6 -

漏源极电阻 - 0.15 Ω -

极性 - P-Channel P-CH

耗散功率 - 170 mW -

漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) - -950 mA 0.86A

输入电容(Ciss) - 320pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) - 170 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 850mW (Ta) -

封装 - SOT-563 SOT-563

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR