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7133LA55G、IDT7133LA55G、7133SA55G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7133LA55G IDT7133LA55G 7133SA55G

描述 Ic Sram 32Kbit 55ns 68pgaHIGH -SPEED 2K ×16的CMOS双口静态RAM HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMSDual-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.18INCH, 0.16INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-68

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 PGA-68 PGA BPGA-68

安装方式 - - Through Hole

引脚数 68 - 68

封装 PGA-68 PGA BPGA-68

长度 29.5 mm - 29.46 mm

宽度 29.5 mm - 29.46 mm

高度 - - 3.68 mm

厚度 3.68 mm - 3.68 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

存取时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃